Memorias flash de mayor capacidad

Las memorias flash se utilizan en casi todos los dispositivos, desde cámaras digitales al iPhone. Ahora, según un artículo publicado esta semana en Technology Review, Nanosys, una empresa de reciente creación establecida en Palo Alto, California, afirma haber encontrado un material capaz de duplicar la capacidad de las memorias flash incluidas en los chips convencionales, añadiendo nanocristales de metal autoensamblables al proceso de fabricación. Nanosys, que ha demostrado que las diminutas partículas de metal son compatibles con los procesos de fabricación actuales, ha llegado a una serie de acuerdos con los fabricantes de tecnología flash Intel y Micron Technologies y espera que los nanocristales de metal se incluyan en sus productos para el 2009.

La nueva tecnología podría suponer un boom para el sector de rápido crecimiento de la tecnología flash. La capacidad de las memorias electrónicas ha aumentado constantemente con el paso de los años, siguiendo la Ley de Moore, que predice que el número de transistores de un chip se irá duplicando cada dos años. Sin embargo, las dimensiones de las células de memoria individuales de los chips de tipo flash están disminuyendo solo en el plano horizontal y no en el vertical, debido a las limitaciones físicas y de los materiales.

Las células de las memorias flash contienen electrones, que representan bits de información, en una pequeña pieza de polisilicio llamada puerta flotante. Esta pieza está rodeada por una capa gruesa de material aislante que evita la filtración de electrones pero, a medida que disminuye el tamaño de las células, éstas empiezan a interferir eléctricamente entre sí. Reemplazando la puerta flotante con nanocristales, señala Don Barnetson, director de desarrollo de mercado para los productos de memoria no volátil de Nanosys, los ingenieros han logrado reducir la cantidad de material aislante necesario, disminuyendo el tamaño de las células al mismo que tiempo que se eliminan las interferencias.

Según Barnetson, los nanocristales de metal pueden contener más carga por célula de memoria que los de silicio. Las memorias flash hechas con partículas de metal también requieren un voltaje inferior para programar y borrar los datos de la célula, ahorrando energía. Además, en ellas, los bits de información se pueden programar y borrar un número prácticamente ilimitado de veces.

Según Edwin Kan, profesor de ingeniería informática y eléctica de la Universidad de Cornell, en Ithaca, Nueva York, la principal contribución de Nanosys "es haber resuelto uno de los problemas de procesado: cómo poner nanocristales de tamaño uniforme y alta densidad en una lámina [de semiconductor]".
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